PFC（功率因数校正）拓扑常见的工作模式有CCM电流连续型、DCM不连续型和CRM临界型三种，PFC拓扑对MOS管的要求比较高，在保证系统效率和温升的条件下，要尽可能的提升系统稳定性。PFC拓扑的控制环路速度比较慢，为了平滑100Hz-120Hz的交流整流纹波，PFC拓扑的反应时间必须要达到数10ms。如果没有对控制电路和IC进行专门优化，PFC拓扑在启动过程中往往会产生很大的冲击电流，冲击电流可达正常工作时的5-10倍，尤其是在反复的开关机过程中，更是对MOS管有着更加严苛的考验。PFC拓扑中的MOS管跨接在高压与地之间，在进行安规测试时，MOS管的E_AS能力也是评估其可靠性的重要参考。因此，PFC电路在选择MOS管时，需要着重考虑MOS管的开关特性（C_iss）、E_AS能力、浪涌抵抗能力和静电防护能力。

LLC&PSFB拓扑常用于大功率谐振式变换器，一次侧ZVS、二次侧ZCS可以大大提高变换器的工作效率，在大幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、电动汽车充电桩等领域。Z-系列GreenMOS是专为该类拓扑应用设计的功率MOS管，有着极低的Q_g和不同于常规SJ MOS管的快恢复体二极管，在优化高频特性的同时，还有着更快的反向恢复速度去避免在硬开关下的直通电流，从而大大提升系统的可靠性和效率。工程师在设计和替换验证过程中有极好的便捷性和兼容性。

反激式开关电源常规的工作模式有CCM模式和DCM模式，该类拓扑主要适用于LED照明、电池充电器等功率较小的场合，MOS管的选型受设计者和变压器参数的影响一般较大。GreenMOS可为反激类拓扑提供600V~900V内全阶段适应的MOS管，还可为600V~800V高压类源的反激辅助供电提供高BV的器件。我们还专门为快充市场定制了OSS系列的GreenMOS，OSS系列GreenMOS具有更低的Q_g值、更快的开关速度、更小的弥勒平台、更小的C_iss和经过优化的非线性C_oss，有助于方案开发者更好的解决EMI问题，在QR和ACF反激的设计中，有着肩比GaN功率管的卓绝竞争力。

同步整流控制方式是利用MOS管导通后的超低导通电阻来改善二极管整流的正向导通压降损耗。我们的SGTMOS可提供30V~150V的同步整流MOS管。在同步整流MOS管的选型中，可以依次以BV、R_dson、Q_g、Q_rr作为参考去筛选适配的MOS管，我们为同步整流应用专门提供了高V_th的SGTMOS，并且优化了V_th的一致性，使器件更加适合并联使用，具有负载电流更平滑，抗短路能力更强的优点。同时我们也提供了散热更优良的DFN5*6等小封装形式，方便电路板布局和热设计。

正激式开关电源在硬开关应用中有单管正激和双管正激两种，对于单管正激，由于变压器需要增加额外的磁复位绕组，在主开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此该类拓扑应用中我们推荐高BV的MOS管，以应对电压变化带来的冲击。

对于双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作频率不高，也不会出现过大的冲击电流，对MOS管的要求相对宽松，通常与PFC搭配用在200W~800W的适配器、工业电源、电脑电源或者环境相对恶劣又对稳定性要求高的场合。在应用中，我们推荐热阻更小、开关特性更优的GreenMOS作为首选。